MOSFET Infineon canal N, SOT-323 1,5 A 20 V, 3 broches

Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
OptiMOS™
Type de conditionnement
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
250 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.7V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.25mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,8 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET à petits signaux OptiMOS™ d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 29,63
€ 0,119 Each (On a Reel of 250) (hors TVA)
250
€ 29,63
€ 0,119 Each (On a Reel of 250) (hors TVA)
250
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
250 - 750 | € 0,119 | € 29,63 |
1000 - 2750 | € 0,093 | € 23,17 |
3000 - 5750 | € 0,079 | € 19,65 |
6000+ | € 0,075 | € 18,77 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
OptiMOS™
Type de conditionnement
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
250 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.7V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.25mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,8 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET à petits signaux OptiMOS™ d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.