Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
36 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Type d'emballage
PG-HSOF-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
€ 9,90
€ 9,90 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 9,90
€ 9,90 Each (hors TVA)
Standard
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 9 | € 9,90 |
10 - 99 | € 8,92 |
100 - 499 | € 8,22 |
500 - 999 | € 7,62 |
1000+ | € 6,83 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
36 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Type d'emballage
PG-HSOF-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC