MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
OptiMOS P
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
12.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
58 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
39 nF @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.3mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1 258,36
€ 0,503 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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InfineonType de canal
P
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50 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
OptiMOS P
Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
12.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
58 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Largeur
6.22mm
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
39 nF @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.3mm
Pays d'origine
China
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Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
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MOSFET Transistors, Infineon
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