MOSFET Infineon canal N, TO247-4 46 A 700 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
46 A
Tension Drain Source maximum
700 V
Série
CoolMOS™ C7
Type de conditionnement
TO247-4
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
227 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
21.1mm
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
93 nF @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Hauteur
5.21mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 198,17
€ 6,606 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Enrichissement
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Configuration du transistor
Single
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1
Largeur
21.1mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Hauteur
5.21mm
Pays d'origine
China
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Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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