MOSFET Infineon canal N, DirectFET isométrique 375 A 60 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
375 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
DirectFET, HEXFET
Type de boîtier
DirectFET isométrique
Type de montage
CMS
Résistance Drain Source maximum
1.5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
7.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
9.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
200 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
0.49mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance DirectFET®, Infineon
Le boîtier de puissance DirectFET® est une technologie de boîtier de transistor de puissance MOSFET à montage en surface. Les transistors MOSFET DirectFET® permettent de réduire les pertes d'énergie tout en réduisant l'encombrement dans les applications de commutation avancées.
La résistance à l'état passant la plus faible du secteur dans leurs tailles respectives
Résistance de boîtier extrêmement faible pour minimiser les pertes de conduction
Refroidissement double face très efficace améliorant considérablement la densité de puissance, le coût et la fiabilité
Bas profil de seulement 0,7 mm
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 14,50
€ 3,625 Each (In a Pack of 4) (hors TVA)
Standard
4
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N
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CMS
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1.5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
7.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
9.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
200 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
0.49mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
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Transistor MOSFET de puissance DirectFET®, Infineon
Le boîtier de puissance DirectFET® est une technologie de boîtier de transistor de puissance MOSFET à montage en surface. Les transistors MOSFET DirectFET® permettent de réduire les pertes d'énergie tout en réduisant l'encombrement dans les applications de commutation avancées.
La résistance à l'état passant la plus faible du secteur dans leurs tailles respectives
Résistance de boîtier extrêmement faible pour minimiser les pertes de conduction
Refroidissement double face très efficace améliorant considérablement la densité de puissance, le coût et la fiabilité
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Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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