MOSFET Infineon canal N/P, SOIC 2,3 A, 3,5 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
2,3 A, 3,5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
HEXFET
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ, 400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 10 V, 6,9 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à double canal N/P, Infineon
Les transistors de puissance MOSFET doubles d'Infineon intègrent deux dispositifs HEXFET® pour fournir des solutions de commutation permettant un gain de place et qui soient rentables dans les conceptions à haute densité de composants dans lesquelles l'espace disponible sur la carte constitue un facteur primordial. Une grande variété d'options de boîtier est disponible et les concepteurs peuvent choisir la configuration à canal N/P double.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1 141,44
€ 0,285 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
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30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
HEXFET
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
150 mΩ, 400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 10 V, 6,9 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET de puissance à double canal N/P, Infineon
Les transistors de puissance MOSFET doubles d'Infineon intègrent deux dispositifs HEXFET® pour fournir des solutions de commutation permettant un gain de place et qui soient rentables dans les conceptions à haute densité de composants dans lesquelles l'espace disponible sur la carte constitue un facteur primordial. Une grande variété d'options de boîtier est disponible et les concepteurs peuvent choisir la configuration à canal N/P double.
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