MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 65 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
65 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Séries
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
330 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Largeur
4.82mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.66mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Taille
9.02mm
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 24,29
€ 2,43 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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10
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 24 | € 2,43 |
| 25 - 49 | € 2,37 |
| 50 - 99 | € 2,23 |
| 100+ | € 2,04 |
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N
Courant continu de Drain maximum
65 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Séries
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
24 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
330 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Largeur
4.82mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.66mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Taille
9.02mm
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MOSFET redresseur synchrone
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