MOSFET Infineon canal P, DPAK (TO-252) 31 A 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
31 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Séries
IRFR5305PBF
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
7.49mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Taille
2.39mm
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€ 1 434,12
€ 0,478 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Type de montage
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
7.49mm
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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