MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 195 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 165-6504Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRFS7534TRLPBF
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

195 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

StrongIRFET

Type de conditionnement

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

2,4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.7V

Tension de seuil minimale de la grille

2.1V

Dissipation de puissance maximum

294 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Charge de Grille type @ Vgs

186 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

9.65mm

Taille

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon

La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 1 088,82

€ 1,361 Each (On a Reel of 800) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
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1600+€ 1,293€ 1 034,38

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

2,4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.7V

Tension de seuil minimale de la grille

2.1V

Dissipation de puissance maximum

294 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Charge de Grille type @ Vgs

186 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

9.65mm

Taille

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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