MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 195 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
195 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
StrongIRFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
294 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
186 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
9.65mm
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1 088,82
€ 1,361 Each (On a Reel of 800) (hors TVA)
800
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 800 - 800 | € 1,361 | € 1 088,82 |
| 1600+ | € 1,293 | € 1 034,38 |
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N
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Tension Drain Source maximum
-60 V
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Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
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294 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
186 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
9.65mm
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
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