MOSFET Infineon canal P, TSOP-6 5,8 A 30 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5.8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
TSOP-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
66 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.75mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 401,27
€ 0,134 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,134 | € 401,27 |
| 6000 - 6000 | € 0,127 | € 380,15 |
| 9000+ | € 0,119 | € 355,51 |
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P
Courant continu de Drain maximum
5.8 A
Tension Drain Source maximum
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HEXFET
Type de conditionnement
TSOP-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
66 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.75mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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1.2V
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China
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