Transistor MOSFET Infineon canal N, D2PAK 48 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
48 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
DPKZ
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
23 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.67mm
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Séries
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.83mm
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Prix sur demande
1
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.67mm
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