MOSFET Infineon canal P, SOT-23 4,3 A 12 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
50 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.95V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P de 12 à 20 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 237,60
€ 0,079 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,079 | € 237,60 |
| 6000 - 6000 | € 0,075 | € 225,72 |
| 9000+ | € 0,07 | € 211,46 |
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P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Série
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Type de conditionnement
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Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
50 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.95V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
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Single
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-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.02mm
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-55 °C
Pays d'origine
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Transistor MOSFET de puissance à canal P de 12 à 20 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
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