Transistor MOSFET International Rectifier canal N, TO-220AB 110 A 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
146 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.54mm
Largeur
4.69mm
Matériau du transistor
Si
Série
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
8.77mm
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Prix sur demande
1
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N
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55 V
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Nombre de broches
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.54mm
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Si
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