MOSFET IXYS canal N, TO-247AD 36 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
36 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Séries
HiperFET, Polar
Type de conditionnement
TO-247AD
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
170 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
540 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
93 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 207,12
€ 6,904 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 6,904 | € 207,12 |
| 60 - 120 | € 6,628 | € 198,85 |
| 150+ | € 6,42 | € 192,61 |
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36 A
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Type de conditionnement
TO-247AD
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
170 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
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540 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Charge de Grille type @ Vgs
93 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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