MOSFET Microchip canal N, A-220 500 mA 400 V, 3 broches

N° de stock RS: 178-4924Marque: MicrochipN° de pièce Mfr: DN2540N5-G
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

500 mA

Tension Drain Source maximum

400 V

Type de conditionnement

TO-220

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

25 Ω

Mode de canal

Depletion

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Dissipation de puissance maximum

15 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.826mm

Longueur

10.7mm

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

16.51mm

Détails du produit

Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex

La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

Caractéristiques

Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie

Applications types

Commutateurs normalement fermés
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications

MOSFET Transistors, Microchip

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€ 69,60

€ 1,392 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Tube
50 - 50€ 1,392€ 69,60
100+€ 1,26€ 62,99

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Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

25 Ω

Mode de canal

Depletion

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Dissipation de puissance maximum

15 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

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1

Largeur

4.826mm

Longueur

10.7mm

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

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Température de fonctionnement minimum

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Taille

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Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
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