MOSFET Microchip canal N, TO-92 30 mA 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
MicrochipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 mA
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 kΩ
Mode de canal
Depletion
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
740 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.19mm
Hauteur
5.33mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex
La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
Caractéristiques
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
Applications types
Commutateurs normalement fermés
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications
MOSFET Transistors, Microchip
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€ 11,35
€ 0,568 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 0,568 | € 11,35 |
| 40 - 80 | € 0,538 | € 10,75 |
| 100+ | € 0,482 | € 9,64 |
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Type de conditionnement
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 kΩ
Mode de canal
Depletion
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
740 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
4.19mm
Hauteur
5.33mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex
La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
Caractéristiques
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
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