TRANSISTOR MOSFET CANAL N - IRF640
Documents techniques
Spécifications
Brand
NEUTRALType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.51mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Taille
15.49mm
Largeur
4.65mm
Prix sur demande
1
Prix sur demande
1
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Documents techniques
Spécifications
Brand
NEUTRALType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
18 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
180 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.51mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Charge de Grille type @ Vgs
70 nC @ 10 V
Taille
15.49mm
Largeur
4.65mm