Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
330 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Séries
BSN20BK
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
1,67 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,49 nC @ 4,5 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 84,15
€ 0,14 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
€ 84,15
€ 0,14 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
600 - 1400 | € 0,14 | € 14,02 |
1500+ | € 0,121 | € 12,12 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
330 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Séries
BSN20BK
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
1,67 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,49 nC @ 4,5 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1mm
Détails du produit