MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 130 mA 50 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
130 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 7,10
€ 0,142 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 7,10
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Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,142 | € 1,42 |
| 100 - 240 | € 0,118 | € 1,18 |
| 250 - 490 | € 0,11 | € 1,10 |
| 500+ | € 0,103 | € 1,03 |
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NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
130 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
1mm
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