Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
350 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
NX3008NBKW
Type de conditionnement
SOT-323
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,52 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 15,14
€ 0,151 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 15,14
€ 0,151 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
100 - 500 | € 0,151 | € 15,14 |
600 - 1400 | € 0,119 | € 11,88 |
1500+ | € 0,097 | € 9,69 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
350 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
NX3008NBKW
Type de conditionnement
SOT-323
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,52 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit