MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 3,5 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.25V
Tension de seuil minimale de la grille
0.75V
Dissipation de puissance maximum
415 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,5 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 837,74
€ 0,279 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.25V
Tension de seuil minimale de la grille
0.75V
Dissipation de puissance maximum
415 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
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1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,5 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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