MOSFET onsemi canal N, SOT-23 115 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
115 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.01mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 13,46
€ 0,067 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Standard
200
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200
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 200 - 800 | € 0,067 | € 13,46 |
| 1000 - 1800 | € 0,048 | € 9,57 |
| 2000+ | € 0,047 | € 9,40 |
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
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Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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Hauteur
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