MOSFET onsemi canal N, SOT-23 220 mA 50 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
220 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
0.36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
1,7 nC @ 10 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 19,40
€ 0,194 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,194 | € 1,94 |
| 250 - 490 | € 0,168 | € 1,68 |
| 500 - 990 | € 0,147 | € 1,47 |
| 1000+ | € 0,135 | € 1,35 |
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N
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220 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
0.36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
1,7 nC @ 10 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
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