MOSFET onsemi canal P, ECH 9 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
9 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
ECH
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
17 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.6V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2.3mm
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
28 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.9mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 1 037,89
€ 0,346 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
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1
Largeur
2.3mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
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