MOSFET onsemi canal N, PQFN8 122 A 80 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
122 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type de conditionnement
PQFN8
Série
PowerTrench
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
5,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
72 nC @ 10 V
Largeur
6mm
Hauteur
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, plus de 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 27,10
€ 1,355 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
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Paquet de production (Bobine)
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 198 | € 1,355 | € 2,71 |
| 200 - 998 | € 1,173 | € 2,35 |
| 1000 - 1998 | € 1,033 | € 2,06 |
| 2000+ | € 0,939 | € 1,88 |
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N
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122 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type de conditionnement
PQFN8
Série
PowerTrench
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
5,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
72 nC @ 10 V
Largeur
6mm
Hauteur
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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