Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC @ 10 V c.c.
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.65mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 5,55
€ 0,555 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 5,55
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Standard
10
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N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC @ 10 V c.c.
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.65mm
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