Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
142 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
SiC Power
Type de boîtier
TO247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0,012 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
4.3V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
€ 7 736,87
€ 17,193 Each (In a Tube of 450) (hors TVA)
450
€ 7 736,87
€ 17,193 Each (In a Tube of 450) (hors TVA)
450
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
142 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
SiC Power
Type de boîtier
TO247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0,012 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
4.3V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC