MOSFET onsemi canal P, SOT-363 880 mA 20 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
880 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 7,44
€ 0,298 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,298 | € 7,44 |
| 100 - 225 | € 0,256 | € 6,41 |
| 250 - 475 | € 0,222 | € 5,56 |
| 500 - 975 | € 0,195 | € 4,88 |
| 1000+ | € 0,178 | € 4,45 |
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P
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880 mA
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Type de conditionnement
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
2,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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