onsemi N-Channel MOSFET, 70 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB RFP70N06
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
70 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
14 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
120 nC @ 20 V
Largeur
4.83mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Hauteur
9.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 2,03
€ 2,03 Each (hors TVA)
Standard
1
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1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,03 |
| 10+ | € 1,75 |
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N
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-60 V
Type de conditionnement
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
14 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
120 nC @ 20 V
Largeur
4.83mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Hauteur
9.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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