MOSFET ROHM canal P, TSMT-6 5 A 30 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
RQ6E050AT
Type d'emballage
TSMT-6
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
38 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Base double
Tension Grille Source maximum
-18 V, +18 V
Largeur
1.8mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 6,15
€ 0,246 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
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6
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Base double
Tension Grille Source maximum
-18 V, +18 V
Largeur
1.8mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
20,8 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
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