Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
91 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Type de boîtier
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0.03 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium
€ 34,53
€ 34,53 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
1
€ 34,53
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Paquet de production (Tube)
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STMicroelectronicsType de canal
N
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91 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Type de boîtier
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
0.03 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicium