MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 17 A 650 V, 3 broches

N° de stock RS: 760-9499PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB24NM60N
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

17 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Type de conditionnement

D2PAK (TO-263)

Série

MDmesh

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

190 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

125 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Longueur

10.75mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Charge de Grille type @ Vgs

46 nC @ 10 V

Largeur

10.4mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

4.6mm

Détails du produit

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 32,85

€ 3,29 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitaire
10 - 99€ 3,29
100 - 499€ 2,94
500 - 999€ 2,59
1000+€ 2,25

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N

Courant continu de Drain maximum

17 A

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650 V

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Série

MDmesh

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

190 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

125 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Longueur

10.75mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Charge de Grille type @ Vgs

46 nC @ 10 V

Largeur

10.4mm

Température de fonctionnement minimum

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