MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 5,4 A 400 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.4 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 491,00
€ 0,596 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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2500
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 0,596 | € 1 491,00 |
| 5000+ | € 0,542 | € 1 353,83 |
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N
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5.4 A
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400 V
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Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
6.2mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.4mm
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