MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 5,5 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.5 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
MDmesh M2
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
780 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.4mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 5,09
€ 1,017 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.4mm
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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