MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 12 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
MDmesh M2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
330 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
15.75mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 55,15
€ 1,103 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
15.75mm
Pays d'origine
China
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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