MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 3 A 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Type de boîtier
A-220
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
22,7 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 3,04
€ 0,608 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 3,04
€ 0,608 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,608 | € 3,04 |
| 10 - 95 | € 0,514 | € 2,57 |
| 100 - 495 | € 0,43 | € 2,15 |
| 500 - 995 | € 0,418 | € 2,09 |
| 1000+ | € 0,409 | € 2,04 |
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N
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3 A
Tension Drain Source maximum
900 V
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Série
MDmesh, SuperMESH
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
22,7 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
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