Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-220
Série
STripFET II
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
16 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 9,86
€ 1,971 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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STMicroelectronicsType de canal
N
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60 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-220
Série
STripFET II
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
16 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.