MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 35 A 710 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
710 V
Série
MDmesh M5
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
78 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
210 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.15mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
82 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 29,16
€ 5,83 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Paquet de production (Tube)
5
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 5 - 9 | € 5,83 |
| 10 - 24 | € 5,23 |
| 25 - 49 | € 4,97 |
| 50+ | € 4,86 |
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N
Courant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
710 V
Série
MDmesh M5
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
78 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
210 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.15mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
82 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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