MOSFET Texas Instruments canal N, WSON 5 A 25 V, 6 broches

N° de stock RS: 162-8525Marque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD16301Q2
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

5 A

Tension Drain Source maximum

25 V

Séries

NexFET

Type de conditionnement

WSON

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

34 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.55V

Tension de seuil minimale de la grille

0.9V

Dissipation de puissance maximum

2.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +10 V

Longueur

2mm

Charge de Grille type @ Vgs

2 nC @ 4,5 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

2mm

Taille

0.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Malaysia

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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€ 487,39

€ 0,162 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)

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N

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CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

34 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.55V

Tension de seuil minimale de la grille

0.9V

Dissipation de puissance maximum

2.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +10 V

Longueur

2mm

Charge de Grille type @ Vgs

2 nC @ 4,5 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

2mm

Taille

0.8mm

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