MOSFET Texas Instruments canal N, WSON 5 A 25 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Séries
NexFET
Type de conditionnement
WSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
34 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.55V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
2.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2mm
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 487,39
€ 0,162 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 487,39
€ 0,162 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Séries
NexFET
Type de conditionnement
WSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
34 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.55V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
2.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2mm
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.