MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 208-8480Marque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD17575Q3
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

3 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Séries

NexFET

Type d'emballage

VSONP

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

2,3 e + 006 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.1V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 10,07

€ 1,007 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches
Sélectionner le type d'emballage

€ 10,07

€ 1,007 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 40€ 1,007€ 10,07
50 - 90€ 0,985€ 9,85
100 - 240€ 0,754€ 7,54
250 - 990€ 0,746€ 7,46
1000+€ 0,669€ 6,69

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

3 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Séries

NexFET

Type d'emballage

VSONP

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

2,3 e + 006 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.1V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus