MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 100 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
TK
Type de boîtier
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 11,52
€ 2,88 Each (In a Pack of 4) (hors TVA)
Standard
4
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Standard
4
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 2,88 | € 11,52 |
| 20 - 76 | € 2,407 | € 9,63 |
| 80 - 196 | € 2,104 | € 8,42 |
| 200 - 396 | € 1,997 | € 7,99 |
| 400+ | € 1,947 | € 7,79 |
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N
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-60 V
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
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Taille
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