MOSFET Toshiba canal N, A-220 90 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
TK
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
126 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.16mm
Charge de Grille type @ Vgs
49 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
15.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 7,44
€ 1,488 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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±20 V
Largeur
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Si
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