MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 58 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
57,7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
TK
Type de conditionnement
TO-220SIS
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
5,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
15mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 7,85
€ 1,309 Each (In a Pack of 6) (hors TVA)
Standard
6
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3
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4V
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Single
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±20 V
Largeur
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Matériau du transistor
Si
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Longueur
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