Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
62 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
TK
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
400 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.02mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.94mm
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.95mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, séries TK6 et TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 16,55
€ 16,55 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 16,55
€ 16,55 Each (hors TVA)
Standard
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 9 | € 16,55 |
10 - 49 | € 12,95 |
50 - 99 | € 12,62 |
100 - 199 | € 12,30 |
200+ | € 11,98 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
62 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
TK
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Dissipation de puissance maximum
400 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.02mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.94mm
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.95mm
Pays d'origine
China
Détails du produit