MOSFET Vishay Siliconix canal P, SC-70-6L 10 A 30 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SC-70-6L
Série
TrenchFET
Type de montage
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
30 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
13.6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
26 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
1.35mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
2.2mm
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
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€ 531,50
€ 0,177 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Vishay SiliconixType de canal
P
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Type de boîtier
SC-70-6L
Série
TrenchFET
Type de montage
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
30 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
13.6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
26 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
1.35mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
2.2mm
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
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