MOSFET Vishay Siliconix canal N, D2PAK (TO-263) 250 A 40 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
250 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
TrenchFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum
1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
163 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
11.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
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€ 1 212,72
€ 1,516 Each (On a Reel of 800) (hors TVA)
800
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N
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CMS
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7
Résistance Drain Source maximum
1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
163 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
11.3mm
Température de fonctionnement minimum
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