MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 14 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB, TO-220FL
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
88000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
26 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 6,66
€ 1,332 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 6,66
€ 1,332 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,332 | € 6,66 |
| 50 - 120 | € 1,134 | € 5,67 |
| 125 - 245 | € 1,064 | € 5,32 |
| 250 - 495 | € 1,00 | € 5,00 |
| 500+ | € 0,933 | € 4,66 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB, TO-220FL
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
88000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
26 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.