MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 3,5 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type d'emballage
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,09
€ 1,09 Each (hors TVA)
Standard
1
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Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,09 |
| 10 - 49 | € 0,92 |
| 50 - 99 | € 0,87 |
| 100 - 249 | € 0,82 |
| 250+ | € 0,77 |
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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40 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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