Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.82mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 15,84
€ 3,168 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 15,84
€ 3,168 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,168 | € 15,84 |
25 - 45 | € 2,694 | € 13,47 |
50 - 120 | € 2,377 | € 11,89 |
125 - 245 | € 2,218 | € 11,09 |
250+ | € 2,06 | € 10,30 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.82mm
Détails du produit