Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
85 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.7mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 27,24
€ 2,724 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 27,24
€ 2,724 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
10 - 20 | € 2,724 | € 13,62 |
25 - 45 | € 2,401 | € 12,00 |
50 - 120 | € 2,241 | € 11,20 |
125+ | € 2,084 | € 10,42 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
85 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.7mm
Détails du produit